A IXYS é um fornecedor global de semicondutores de gerenciamento de potência oferecendo uma vasta gama de soluções em MOSFETs, IGBTs e retificadores de potência, e CIs de sinal misto, trazendo às aplicações maior eficiência e menores custos de energia elétrica.
As aplicações de potência e controle na indústria, em automação, em equipamentos médicos, na infraestrutura de telecomunicações, em tecnologia de automóveis elétricos e híbridos, bens de consumo e linha branca têm encontrado na IXYS a parceria estratégica ideal dada a grande variedade de soluções, alta confiabilidade e desempenho oferecidos.
IXYS Corporation
3540 Bassett St.
Santa Clara, CA, 95054-0700
USA
A IXYS tem seu foco na sua tecnologia proprietária DCB e DAB (Direct Copper Bond and Direct Alluminium Bond) que apresenta as vantagens de alta isolação (2500Vrms), dispensando isoladores entre o componente e o dissipador, apresentando uma baixa resistência térmica comparável à solução não isolada e a grande capacidade de suportar ciclos térmicos e de potência devido aos coeficientes de dilatação casados entre os materiais usados, evitando estresses mecânicos. Estas características fazem da IXYS o fornecedor preferido em aplicações que requerem confiabilidade e robustez.
Estas tecnologias DCB e DAB são como montagens em circuito impresso, onde os dies são soldados diretamente na camada de cobre depositada sobre a camada isoladora cerâmica. Esta camada interna de cobre pode ser feita em forma de trilhas condutoras, o que viabiliza a construção de soluções customizadas, dispondo os dies e conectando estes conforme o circuito desejado. Do outro lado do isolador cerâmico há outra camada de cobre, que faz o contato térmico do substrato com o dissipador, garantindo uma transferência eficiente de calor.
A IXYS oferece, em uma grande variedade de encapsulamentos para componentes discretos ou em módulos, IGBTs, MOSFETs, retificadores rápidos e ultrarápidos, pontes mono e trifásicas, controladas (tirístores) ou não, módulos inversores, CBI, configurações buck, boost, brake, PFC, entre outras. Os MOSFETs incluem várias famílias que se estendem até aplicações de transmissão de RF ou fontes chaveadas operando a vários MHz. Os IGBTs apresentam-se também em diversas tecnologias, adequando-se a qualquer aplicação - PT, PT rápidos, NPT, NPT3, BiMOSFET, até encapsulamentos tipo press-pack para 6500V ou 1500A. Diodos, diodos rápidos, Schottky de silício, Schottky de GaAs, tirístores, tirístores desligáveis pelo gate são disponíveis desde em encapsulamentos SMD para 1A até encapsulamentos tipo stud (>700A) ou press-pack (>2000A), ou em módulos contendo meia ponte retificadora ou pontes monofásicas ou trifásicas, com tirístores e/ou diodos, Switches AC, além de outras configurações.
Alguns encapsulamentos se destacam, como o versátil e compacto ISOPLUS i4-PAC que, contendo até 5 pinos, oferece topologias de pontes mono e trifásicas, circuitos IGBTs ou MOSFETs em topologia boost, buck, meia ponte, correção de fator de potência mono ou trifásico e relés de estado sólido. Este encapsulamento isolado, de 20mm x 21mm, é capaz de operar com correntes até 300A e tensões até 2500V, além de oferecer o tradicional isolamento de 2500Vrms oferecido pela tecnologia DCB. Outro encapsulamento importante é o ISOPLUS-DIL, herdado da tecnologia em amplificadores de RF. Este encapsulamento possui 5 pinos de potência capazes de operar até 220A, e 12 pinos de controle. Diversas topologias são aplicáveis neste encapsulamento. Uma topologia típica disponível é a de inversor trifásico (seis MOSFETs Trench-gate) para aplicações em automóveis elétricos.
Além da potência, a IXYS oferece controle. Uma grande variedade de soluções em circuitos integrados é disponível, tais como gate-drivers de baixa a alta corrente e tensão, controladores digitais PWM mono e trifásicos, CIs reguladores de corrente de alta tensão, e módulos gate drivers.
A IXYS é especialista também em outras tecnologias como células solares de alta eficiência e resistores chip de silício não indutivos para gate-drivers.
